部品番号 : C1815
特長 : Transistor Silicon NPN, 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形(PCT方式)
○ 低周波電圧増幅用
○ 励振段増幅用
• 高耐圧でしかも電流容量が大きい。
: VCEO= 50 V (最小), IC= 150 mA (最大)
• 直流電流増幅率の電流依存性が優れています。
: hFE (2)= 100 (標準) (VCE= 6 V, IC= 150 mA)
: hFE(IC= 0.1 mA)/hFE(IC= 2 mA) = 0.95 (標準)
• PO= 10 W用アンプのドライバおよび一般スイッチング用に適しています。
• 低雑音です。: NF = 1 dB (標準) (f = 1 kHz)
• 2SA1015とコンプリメンタリになります。(O, Y, GRクラス)
メーカー : Toshiba
C1815 データシート
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