部品番号 : K10A50D
特長 : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
メーカー : Toshiba
ピン配置図 : 
部品情報 :
Official Site : http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.62 Ω(typ.)
• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 5.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)
• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)
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ファイル内の他のデータシート : K10A50D,TK10A50D